HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電子(zǐ)工業
本裝置能(néng)夠測量以往TLP無法覆蓋的高電壓、大電流特性,在獲取、分(fēn)析高耐壓元件的動作(zuò)參數上(shàng)發揮作(zuò)用。
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HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電子(zǐ)工業
HED型Wafer/ESD/TCP試驗機阪和電子(zǐ)工業
Wafer ESD測試儀型号:HED-W5000M-WFC
在集成電路(lù)中安裝的保護電路(lù)的動作(zuò)參數的收集和分(fēn)析中,TLP測試裝置發揮了(le)很大的作(zuò)用,但(dàn)是在半導體的微細化(huà)進程中,爲了(le)提高ESD抗藥性,需要進一(yī)步的保護電路(lù)的開發速度。
HED-W5000M-WFC測試儀可以觀測實際加入設備的ESD波形,因此在保護電路(lù)參數的收集、分(fēn)析、開發速度的縮短上(shàng)發揮了(le)很大的作(zuò)用。
TCP試驗機
型号:HED-5000VF
裝備着的測試模式。設置了(le)施加脈沖寬度100ns/200ns的正常測試和将施加幅度縮小到1ns的VFTTLP(Very Fast TLP)的測試模式。
對ESD耐性的HBM/CDM測試的驗證有效。可以通過标準裝備的示波器(qì)确認設備引腳的入射波和來自設備自旋的反射波。
此數據将被保存,并在監視器(qì)中顯示。用監視器(qì)可以跟蹤入射波/反射波的合計值、坐标回特性、Vf/Im測量的洩露測量值等。
保存的示波器(qì)數據允許高自由度運算(suàn)。例如(rú),對于改變了(le)工序的晶體管的ON電壓和保護電路(lù)中流通的大電流值,可以通過重疊跟蹤來确認差分(fēn)。
此外,還可與半自動程序等連接,使TLP測試自動化(huà)。
因爲可以進行Wafer上(shàng)施加的銷和芯片之間的自動移位、自動測量,所以測試效率大大提高。
型号:HED-5000-HC
現在,設備對于高集成、高頻、高耐壓的需求正在提高。
LD/LED ESD試驗機
應用→測量→自動重複獲取施加電壓的周期數據。激光二極管的輸出電平(功率)的觀測由光電二極管進行。顯示全部施加後的光輸出特性(IL),可以看到破壞的過程。2波長的激光二極管的測量一(yī)次就(jiù)可以。具有洩露(Vf/Im,Im/Vf)測量功能(néng),同時可以進行Vf/Im,Im/Vf測量。
随着設備的精細化(huà),LSI的電源電壓有下(xià)降的傾向。伴随着這個,活動也(yě)有下(xià)降的傾向,作(zuò)爲試驗項目被重視。
另外,幾乎所有的LSI都是将I/O端子(zǐ)發出的噪音(yīn)集中到電源和GND上(shàng)的構造,因此很有可能(néng)引起電源/GND的急劇變動,因此确認其影響很重要。
以前,在ESD槍上(shàng)施加脈沖的情況下(xià),即使以正極性施加,LSI針上(shàng)出現的對電源電壓的噪聲也(yě)會産生(shēng)振動波形。
特别是在正方向和負方向的誤動作(zuò)的斷點不同的情況下(xià),盡管是正極性施加,但(dàn)也(yě)有可能(néng)發生(shēng)超過負方向的斷點而導緻的誤動作(zuò)。在HIT-5000中,通過加入矩形波,可以分(fēn)别對正方向和負方向進行評價。
靜電可視化(huà)監視器(qì)
HSK-5008L靜電可視化(huà)監視器(qì)
手持式靜電可視化(huà)監視器(qì)。
配備8個線性傳感器(qì),可輕松确認靜電的帶電狀态。
與PC連接後,可使用軟件确認靜電帶電狀态,确認數值數據,保存測量數據。
HSK-5064靜電可視化(huà)監視器(qì)
手持式靜電可視化(huà)監視器(qì)。
64個傳感器(qì)可以同時和高速測量100mm×100mm的寬區域。
本産品不會錯過區域内的帶電部分(fēn),還可以實時監控靜電的帶電形狀和經過時間的帶電動作(zuò)。
與HSK-5008L相同,可使用軟件進行數據保管和再生(shēng)。
HSK-V5000B靜電可視化(huà)監視器(qì)
安裝型酒吧(ba)類型的靜電可視化(huà)監視器(qì)。
安裝在測量對象物的附近,可以以面爲單位監視時常帶電量,并且可以瞬間捕捉到大範圍的帶電量,是劃時代的裝置。(例)膠片、液晶面闆、紙等
根據您的要求,可以靈活地定制測量範圍、傳感器(qì)的數量等。